全系全域SiC碳化硅高压平台是什么意思，有什么优势？

我们常说的IGBT/SiC是指代电驱控制器中的功率模块。是由一到多组功率芯片并联组成的开关器件。有以Si为材料的IGBT类型芯片，有以SiC为材料的MOSFET类型芯片（对，IGBT是半导体类型，SiC是指芯片材料）。功率模块负责电机驱动时将直流电转为交流电，能量回收时将交流电转换为直流电，所以它的效率对电动车至关重要。SiC MOSFET相比Si IGBT开关损耗小，效率更高。因为SiC的制造工艺难度高、生产周期长，得片率、良品率低，致使SiC的价格是Si的2～5倍。
全系全域SiC碳化硅高压平台，指的是小米SU7高低配不仅在驱动电机上都使用了SiC碳化硅功率模块，车载充电机（OBC）及热管理系统的空调压缩机这两个对能效要求极高的关键部件，同样都包含了碳化硅材料，以便实现更好的能效表现。全域碳化硅是小米SU7实现极致的整车低能耗的技术手段之一。